降价剂均价降(h-j)VO2及其异质结的截面透射电子显微镜照片。

多山东新（f）UV光电探测器和基于sc-SiFs的光电探测器在不同照明模式下的光电流切换响应。（b）分别在3mm，冠抗5mm和10mm的不同弯曲半径下计算出的峰值应变与样品厚度的关系图。

获国家自然科学二等奖1项，原检元省部级科学技术一等奖3项。测试（b）分别为集成和不集成基于sc-SiFs的TFPDs的IR光电探测器的光电流切换性能。降价剂均价降插图显示了在对数关系中光电流密度与光强度的线性拟合。

多山东新（h）响应度和比探测度与光强度的关系图。通过微加工技术进行图案化的单晶硅是集成电路（IC）和微机电系统（MEMS）的基础，冠抗这些技术已将世界带入了信息化和智能化的时代。

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